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2019 Keithley應用技術論壇
深入剖析氮化鎵GaN功率元件應用與技術

因應車用、5G、智能電子與高效能運算等新應用的需求,新一代半導體材料氮化鎵GaN 因具有耐高溫/高壓、低導通電阻及低切換損失等優勢,已成為高效、小尺寸及低功耗應用技術的首選,因此氮化鎵元件的相關應用與技術備受矚目。

年度Keithley應用技術論壇特別邀請功率半導體大廠英飛凌共襄盛舉擔任主題演講嘉賓,分享[業界討論度最高的新一代] 氮化鎵功率元件,從展望到原理與應用,另外還有Keithley專家將探討GaN元件之可靠度議題,提供量測技術與解決方案,並帶您探討一系列關鍵動態特性的設計技術與挑戰,全方位的剖析氮化鎵GaN功率元件,讓您從市場趨勢、應用技術到量測解決方案,一次完整掌握 !

精彩內容包括:

  • 主題演講:氮化鎵場效應電晶體的原理與應用
  • GaN-on-Si Power Device所需的特殊可靠度量測技術介紹
  • 下一代 GaN & SiC (WBG)元件動態特性測試技術的挑戰
  • 你可能不知道的SMU
  • 電池裝置的低功耗測量
  • 測量基礎介紹與經典實測體驗營

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